时代全芯科技骗局揭秘骗取11亿研发资金！让“中国芯”停滞13年的陈进，都做了什么？

用户投稿 2025年06月22日 03:44:05 12 0

骗取11亿研发资金！让“中国芯”停滞13年的陈进，都做了什么？

芯片是目前为止世界上最难掌握的技术之一，能够衡量一个国家的最高科技水平，我国每年在芯片研发上的投入高达上千亿。

随着美国的一道制裁令，让普通人都知道了芯片的重要性。一颗芯片往往只有指甲盖大小，但是就是这样一个小小的东西，应用范围已经极为广泛。

从手机、电视、汽车到人工智能，再到航天航空领域，都离不开芯片，可以说芯片已经渗透到我们日常生活的方方面面。

但是，就是这样一颗小小的芯片，目前全世界只有英特尔、三星等少数企业可以独立完成制作。

时代全芯科技骗局揭秘骗取11亿研发资金！让“中国芯”停滞13年的陈进，都做了什么？

中国的芯片之路，距离世界顶端技术，还有很大的差距。

我国的芯片发展，相比西方发达国家，本就起步晚，在这之中，更有一位关键人物对我国芯片发展之路造成了毁灭性的打击。

他就是陈进，从民族英雄到芯片败类，卷款11亿科研经费，让中国的芯片技术发展，停滞十三年。那么他到底是谁，做了什么？

从芯片之父到芯片败类

1968年，陈进出生于福建，家境富裕，而且头脑聪明，打小就是别人家的孩子，在那个很多人连高中都读不上的时代，他以优异的成绩从同济大学毕业。

毕业以后，陈进去了美国进修，而且拿到了美国德州大学奥斯汀分校计算机专业的工程硕士和博士学位，不说在当时，就算是现在也是不可多得的人才。

毕业以后，陈进层就职美国IBM公司，后又跳槽去了摩托罗拉，从事芯片的研发设计等工作。

如果按照这样的发展路径的话，陈进应该在美国毕业结婚生子，从此与中国没有关系。

但是当时，我国非常重视科技发展，尤其是高精尖领域方面，因为我国的科技水平远远落后世界平均水平的。

高端技术都掌握在发达国家手中，受人掣肘，所以科技兴国是当时发展的首要任务。而海外留学，掌握高端技术知识的人才，自然成了人人争抢的香饽饽。

在这样的背景下，陈进选择了回国。

他向上海交大和复旦投递了简历，由于为人谦和，头脑灵光，而且履历漂亮。陈进顶着制作国产芯片的口号，在交大一位主任的引荐下，担任了上海交通大学高级讲师。

年仅33岁的他，受到很多年轻人的追捧。

2001年，上海交大为他创立芯片与系统研究中心，并任命陈进担任芯片设计的总负责人。当时的科技界都对这个年轻人报以非常高的期待，竭力满足他的科研需求。

陈进喊出口号，立下四年之约，第一年，第二年先卧薪尝胆，三年以后一鸣惊人，到了第四年，就是海纳百川，鹏程万里。

此言一出，大家都以为国产芯片，稳了！

而陈进也确实不负众望，仅仅在投入研发的16个月后，他高调地宣布，中国的国产芯片“汉芯一号”研制成功，让整个科技圈为之震撼。

陈进号称“汉芯一号”采用了180纳米的工艺制作，拥有32位运算处理内核，每秒钟可以进行2亿次运算，性能甚至超过同时代世界领先水平。

要知道，以当时的世界研发科技水平，顶级公司英特尔的芯片也是耗费巨大的人力财力，研发多年才能有一点小成绩。

而陈进一人，仅仅用了16个月就可以制造出顶级芯片，也有人提出质疑。

但是在随后的发布会上，由多名院士及重要领导，轮流对芯片进行鉴定，都没有发现问题，证实了“汉芯一号”确实是国内首创，而且技术也达到了国际领先水平。

在这之后，陈进的地位也水涨船高，主流媒体纷纷报道，陈进也被授予多项荣誉称号，交大长江学者、微电子学院院长、成立汉芯公司，担任总经理。

但是事实真的如此吗？难道陈进确实是百年难得一遇的天才，短短几个月就能追赶上别人几十年研究的成果？

根据后来的揭露，我们可以知道，所谓的“汉芯一号”根本就是玩了一出狸猫换太子的把戏。把一众学者专家骗得团团转。

原来陈进拜托在摩托罗拉工作的前同事，采购了一批摩托罗拉芯片，又雇佣了几个民工抹掉了芯片上摩托罗拉的标志，重新打上汉芯字样。

为了避免被专家组发现，他又拜托同事从摩托罗拉的内部下载一款芯片的源码，用这个源码制作芯片，虽然缺少授权，无法运行，但是足够骗过发布会上的专家了。

就这样，在骗过了一众专家学者，蒙蔽了全中国的双眼后，陈进，俨然成了中国芯片领域的领头羊。

随后，陈进又依样画葫芦，在几年的时间里，研制出汉芯二号、汉芯三号和汉芯四号。简直成为了科技史上的奇迹。

陈进受到国家高度重视，要什么有什么，还被冠以“芯片之父”的名号，成了当时人们心中的民族英雄。

但是这几年的时间里，由于汉芯一号迟迟无法投入使用，很多人开始了质疑，对于这些质疑，陈进面不改色，宣称汉芯一号还需要持续改进。并且向上级索要了更多的科研经费。

触目惊心的汉芯黑幕

当时的人不会想到，看似温文尔雅，专心研究，立志报国的陈进，只不过是一个欺世盗名的骗子。

国家为陈进拨款11亿资金，助力他的芯片研发事业。但是终究，纸包不住火。

2006年，在清华大学的BBS论坛上，一篇名为《触目惊心的汉芯黑幕》引发了举国热议。作者自称为汉芯研发小组成员，控诉这几年，陈进根本没有为研发芯片做任何努力。

文章列举陈进的种种罪状：

第一、伪造中国芯片，虚假宣传，骗取国家信任。

利用伪造的汉芯一号，骗取国家信任，使用假的财务审核报告，假合同，向上级部门申请无偿拨款，实则根本没有做任何研发相关的行动。

还申请各大专利，虚假宣传，自我炒作，骗得了诸如高新技术企业资质、上海十大青年等荣誉称号。

第二、身份履历造假。

陈进根本不是如他自己所言，在美国摩托罗拉公司担任高级工程师，负责芯片设计，他当时只是负责集成电路的测试工作，根本不懂得芯片技术，以陈进的履历，根本不够担任国家芯片研发总负责人。

为了圆谎，他还修改了自己的博士论文方向，将集成电路测试，改为集成电路设计。要知道，测试和设计芯片，完全是两个不同的方向，其中的难易程度也不可相提并论。

第三、侵吞科研经费，中饱私囊。

据不完全统计，陈进累计申请科研经费高达11亿，而每一次拨款都被他用来拿去带员工旅游，或者进入自己的腰包挥霍。

还有一部分，则被他转入自己在美国的私人账户上。种种行为，触目惊心，令人发指。

刚开始，上海交大和陈进还在狡辩，斥责文章作者造谣污蔑，但后来舆论愈演愈烈

国家也不愿意相信，这竟然是一场惊天骗局，随后立即成立调查组，前往取证，经过仔细研究调查，确认了文章所言句句属实，所有人都被陈进给骗了。

一时间舆论哗然，国内大大小小的芯片研究机构都陷入造假的质疑，让本就举步维艰的芯片行业雪上加霜，更有资本直接撤资，导致小机构被迫放弃芯片研发。

一朝被蛇咬，十年怕井绳。经过这次打击，人们对留学归来的学子，不再信任，人才固然难求，人品才是基础。

可以说，陈进以一己之力，摧毁了中国芯片行业，使其发展长期裹足不前，整整落后发达国家十几年的时间，直到近几年，大家才重拾信心。

而在这个过程中，还有一个小插曲。

著名的打假斗士方舟子，当年对闹得沸沸扬扬的汉芯黑幕事件十分好奇，经过大量检索，终于被他发现了破绽，就是这个破绽，让陈进再也无法狡辩。

说起来，一代巨骗竟然是败在了小小的装修公司上，方舟子向大众陈述：

这家名为上海翰基装饰有限公司的装修公司，把装修陈进的研发中心作为项目，写在了官网上，并透露顺手为陈进的汉芯一号也装修了一下。

真是滑天下之大稽，耗资十几亿的芯片工程，竟然是出自装修工人之手，面对铁一般的事实，陈进再也无法狡辩，从此销声匿迹。

事发，匆匆逃亡

那么，从民族英雄到芯片败类，这个卷款11亿的陈进，下场如何？

当时，很多受骗的人义愤填膺，希望能够严惩陈进，追回科研经费，但是就在事发的前几天，陈进早已经听到风声，连夜逃去了美国。

事情暴露后，国家立刻撤销了对陈进的所有表彰，上海交大也罢免了陈进的所有职务，汉芯公司被紧急叫停。

而在追查那11亿科研经费的过程中，人们才发现，大部分钱早就被陈进转移到美国账户上，剩余的小部分也被陈进挥霍一空。

国家虽然极力追回，但也于事无补，可以说当时的陈进已经到了人人喊打的地步，让人恨得咬牙切齿，但又无可奈何。

况且陈进在早些年便已经拿了美国绿卡，他带着巨款逃到美国，甚至还在芯片产业里混得风生水起，甚至有人发现，陈进在美国还是三家公司的大股东。

还有记者看到，陈进曾出席美国高端商务晚宴，并在宴会上谈笑风生，丝毫不受汉芯风波的影响。

陈进事件曝光以后，牵连之广，让中国芯片在国际上被当做笑谈，是中国科技史上抹不去的耻辱，让中国科研环境愈发艰难。

直到美国制裁令下，人们才恍然发现，原来还有人在艰难中寻求突破，中国还有自己的芯片技术。

芯片虽然是高科技产品，但是制作芯片的主要材料却是最普通的沙子。

从沙子中提取出硅元素，再进行提纯，制成硅片，注入离子后，经过光刻，蚀刻，清洗，最后经过封装测试，才算制成，并且这个过程都要在无菌空间中进行。

其中最核心的部分，比如光刻机，其精度要求之高，以我国目前的技术，还无法独立制作，只能依赖进口。

目前我们最大的芯片制作公司，台积电、中芯科技等，都是以代工为主，核心技术仍然掌握在英特尔等公司手里。

任何高精尖领域的探索，如果缺乏核心技术，沦为代工厂的话，无异于为他人做嫁衣。何况芯片行业利润如此之高，是美国三大主要产业支柱。

于是近几年，我国的芯片产业开启了自主研发的道路，像中芯国际，华为海思等企业迅速扩张，进步速度一日千里，尽管如此，我们和国际水平还有很大差异。

根据相关数据显示，在电子产品中，国产芯片只占据20%市场，80%则依赖进口芯片，我国每年进口芯片可达3100亿美元，至远超石油进口量。

一旦国际形势发生变化，对我国芯片产业将产生难以估量的损失，所以在当今时代下，自主独立研发中国芯片，刻不容缓。

有人总结了芯片成功的四个要素，那就是砸人、砸钱、砸时间、最后还要看运气。

在芯片行业，光是建造厂房就要花费几十亿，就算有钱，还是离不开真正的芯片产业人才。

由于我国行情原因，在芯片行业，学习周期长、难度大、就业面狭窄、变现时间长，种种原因，导致这方面人才奇缺。

况且，国外几十年对芯片的研究，也只能有一点成果，我们又需要多久呢？

市场环境变幻莫测，就算芯片研发出来，但那时的消费者已经有了新的替代品，无人买账的话，长期的努力，将化为一滩泡影。

尽管发展如此艰难，但是随着越来越多，有真材实料的海外学子归国，为中国芯片行业发展做出贡献，国家也看到希望，计划大力发展芯片产业。

现在，我国每年在芯片行业投入大量资金，在技术研发和人才培养上高度重视，相信在不久的将来，我们会涌现出更多优秀的芯片企业。中国制造，从来不惧挑战。

第三代半导体火爆下的烂尾隐忧，以及国内外技术差距的认知偏差

作者｜李薇

如果要知道硅基半导体的最前沿动态，需关注台积电设在台湾本土的 5nm/3nm 晶圆厂。欲知当前第三代半导体游戏进度如何，则可以将目光投向全球碳化硅 SiC 衬底龙头 Wolfspeed 设在美国纽约州的晶圆工厂。

技术难度高、且占器件成本一半的衬底材料，被视作碳化硅产业链关键环节，业内也有着“得衬底者得天下”的说法。

来自美国的 Wolfspeed 在全球碳化硅衬底市场占据 60% 份额，被视作第三代半导体商用进程的风向标。Wolfspeed 斥资 4.5 亿美元建造的全球第一座 8 英寸 SiC 晶圆厂将在 2024 年达产，产能达到 2017 年的 30 倍 ; 营收方面，新厂贡献收入的节点预计落在 2022 年的下半年，最快会体现在 2023 财年的上半年。

国产替代：技术差距有杂音，部分项目烂尾无悬念

国际龙头 8 英寸量产在即，且即将兑现营收，国内业者进展如何？

目前国内碳化硅各环节已实现全产业链布局，且涌现出不少有代表性的企业。衬底环节厂商包括天岳先进、天科合达等; 外延厂商包括瀚天天成、东莞天域等; 设计厂商包括上海瞻芯电子、上海瀚薪等; IDM 厂商则有三安光电、时代电气、华润微、士兰微等。

第三代半导体被赋予战略意义，并在 2021 年列入十四五规划后，迅速成为超级风口。不过，即使是产业初具规模的当下，谈及三代半国内外企业差距有多大等议题时，仍有不少杂音。比如，常能听到国内外三代半企业的起步时间和技术差距都不大的说法，尤其重要的是，一些基于误识的行动已为产业埋下隐忧。

从起步时间来看，全球衬底龙头已经积累 30 余年，功率器件龙头英飞凌自 1992 年开始着手碳化硅的研究，并在 2001 年成为全球首家推出碳化硅二极管的厂商，开启碳化硅的商用。这也意味着，欧日美厂商已经在在专利方面取得 30 余年的积累。

技术差距方面，国内外整体差距在 5～8 年，最显而易见的指标是工艺和成本。

国内当前碳化硅衬底以 4 英寸为主，国际一线大厂则以 6 英寸为主流，多家厂商已经可以稳定供应6英寸。一个直径 4 英寸的芯片一次可以做出 1000 个芯片，而直径 6 英寸的晶片一次则可以做成 3000 个芯片，4 英寸的产品很难有竞争力。

国内企业虽然已经在 6 英寸领域取得突破，但良率进展艰难。 Wolfspeed 最早在 2015 展示 6 英寸碳化硅衬底，良率在 2017 年就达到 65%。

有业内人士向《问芯Voice》透露，国内走在前沿的企业，6 英寸衬底良率在 50%～60%。一些厂商良率在 30%，也有一些厂商因为良率太低不计入统计。器件方面，国内企业学习的产品与一线厂商正在售卖的产品，有着一代的代差。

三代半概念持续升温，投资热度也高居不下。受访者告诉《问芯Voice》，“新项目多得让人听麻了”、“三代半个隔几天就有一个新项目开工”。

二级市场中也不乏露笑科技这样的长期追热点的公司，在工业大麻、蓝宝石之后，开始押宝第三代半导体。产业内更是不时传出担忧“大炼三代半”的声音，业者常常援引遍地开花的工业园和产能过剩的面板产业。

第三代半导体产业技术发展战略联盟秘书长于坤山此前公开表示：在鼓励地方政府和社会资本积极参与第三代半导体产业化的同时，要考虑到半导体产业自身存在的高风险、高投入、高技术门槛、长周期等特点，有序推进产业布局。

虽然预警的声音不少，但是获得大量政策资源倾斜的第三代半导体产业已然释放低水平、重复建设的危险信号。据国内媒体统计，过去十年全国公开报道的碳化硅项目合计投资金额已超 1300 亿元。

一位长期跟踪国内三代半产业的分析师告诉《问芯Voice》，有的产线可能根本就不会建完，最后起码一半烂尾。有些是因为技术来源不明确，有的是中途股权有问题，还有的可能一开始就是骗局。他也指出，一些涉足三代半的企业闻所未闻，很多建在二、三线城市的产线也会很容易烂尾。

该分析师表示，碳化硅项目总体投资门槛相比硅基半导体要低，是未来投产率不高、项目更容易烂尾的原因。整体来看，目前国内新建项目投资金额在几亿到百亿不等，关注度最高的项目集中在百亿规模。

光伏、储能起量超预期

电动车、充电桩、新能源发电等领域，都需要用到第三代半导体技术。 Yole 预测，碳化硅 SiC 市场规模有望 2025 年超过 25 亿美金，年复合增长率超过 30%。

另据 TrendForce 咨询研究推估，第三代功率半导体产值将从 2021 年的 9.8 亿美元，至 2025 年将成长至 47.1 亿美元，年复合成长率达 48%。

着眼于市场前景，Wolfspeed 、II-VI 等衬底大厂都在陆续扩增产能。扩产之外，制程转换、并购、垂直整合等也成为衬底大厂们高度一致的动作。

碳化硅产能短缺的市场情境下，业界尤其关注衬底厂商的扩产动态。

某华南区销售告诉《问芯Voice》，由于增量需求快过增量供应，面向新兴市场的碳化硅衬底也存在缺货情况，且目前没有看到缓解。他表示，虽然自己在销售端，但当前最关注的议题是有多少产能可以开出。展望未来三年供需，需结合细分领域增量如何，比如小鹏新车销量、光伏储能、充电桩是否顺畅，预计 2～3 年整体趋紧。

结合过去一年经验，他特别点名光伏、储能应用。双碳目标影响下，光伏和储能导入碳化硅的速度远超预期。

光伏功率密度要求提升，碳化硅产品变得非常迫切 ，在集成了储能的场景，碳化硅更是不二选择。“汽车的起量时间被认为会落在 2024 和 2025 年，当前速度符合预期，工业能源则比想象中要快。”

碳化硅在国内可再生能源领域的突出表现，与目前的碳中和进展相一致。 近年，我国可再生能源装机持续增长，在被称为碳中和元年的 2021 年中，可再生能源在新增装机量中占据主导地位。

相较于可再生电源这匹黑马，电动车作为 SiC 功率半导体最重大的下游市场，一直以来都获得最多关注。

特斯拉率先导入 SiC 逆变器被视作三代半产业内的标杆事件，同时趋于主流的电动车 800v 高压架构也进一步代带来催化效应。这股趋势也反映在 Wolfspeed 2021 财年四季度的报表中，新增订单显示，SiC 和 Wolfspeed 增长的核心动力为电动车及电动车高压架构的加速渗透。

同样看到可再生能源市场起量的，还有新洁能等国内功率器件厂商。该公司在最新发布的 2021 年年度报告中指出：公司抓住新能源碳达峰碳中和快速增长的市场需求，重点发力光伏逆变和光伏储能市场。光伏逆变和光伏储能领域将成为公司2022年重要的业绩增长点。

结语

看似火热的第三代半导体，在一级市场上呈现另一番光景。有半导体投资人表示：很多机构在 2019～2020 年开始看三代半，一级市场上三代半项目没有什么特色，只是“能做”衬底/外延/器件，这样的标的很难有好的投资回报。当前三代半的投资已经进入下半场，水面上的早期项目已经不多。很多机构没有赶上三代半的项目机会，开始看第四代半导体项目。

纵观全球碳化硅产业，碳化硅仍处于渗透早期，真正的赢家仍未出现。

针对国内碳化硅发展进展，有业者表示：“中国的产业问题是太急于求成了。高科技企业不同于劳动密集企业，时间差摆在那里，没有十年以上的决心不可能。” 时间差以外，人才、工程化应用，以及针对三代半做有效封装等，也都是眼前迫切需要突破的障碍。